講演情報
[25a-21C-6]スパッタ法によるSi添加GaN薄膜の作製と特性評価
〇板東 廣朗1、三崎 日出彦1、加納 絵梨沙1、上岡 義弘1、召田 雅実1 (1.東ソー株式会社)
キーワード：
窒化ガリウム,スパッタリング法,半導体
スパッタ法を用いたGaNの成膜法は、低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。東ソーでは、独自の焼結技術による高密度・低酸素なGaNターゲットを開発しており、これまでにスパッタGaN薄膜上にてHEMTデバイスが駆動することを報告している。また以前の発表にて、新たに開発したSi含有GaNターゲットにより低抵抗なn型GaN薄膜が作製可能であることを報告した。本検討では、n型GaN薄膜作製プロセスのさらなる低温化について検討した結果を報告する。