[25a-52A-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25a-52A-1] The Effect of Sequential Nitrogen Ion Implantation on Compensating Donor Concentration in Mg-implanted p-GaN

〇Kensuke Sumida¹, Keita Kataoka³, Tetsuo Narita³, Masahiro Horita^1,2, Tetsu Kachi^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.Toyota Central R&D Labs., Inc)

Keywords:

GaN,Ultra-high-pressure annealing,Mg ion implantation

これまでに我々は、エッチングと二層ホール効果モデルを用いて、超高圧アニールによって活性化したMgイオン注入p-GaNにおけるアクセプタ濃度(N_a）、補償ドナー濃度（N_d）の深さ分布評価を行った。その結果、短時間のアニールでは補償ドナーは多く残存することが分かった。そこで本研究では、窒素連続注入によるN_d低減を期待し、Mg/Nイオン注入p-GaNにおけるN_a, N_dの深さ分布評価を行ったので報告する。