[25a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[25a-52A-1] Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果

〇角田 健輔¹、片岡 恵太³、成田 哲生³、堀田 昌宏^1,2、加地 徹^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)

キーワード：

窒化ガリウム,超高圧アニール,Mgイオン注入

これまでに我々は、エッチングと二層ホール効果モデルを用いて、超高圧アニールによって活性化したMgイオン注入p-GaNにおけるアクセプタ濃度(N_a）、補償ドナー濃度（N_d）の深さ分布評価を行った。その結果、短時間のアニールでは補償ドナーは多く残存することが分かった。そこで本研究では、窒素連続注入によるN_d低減を期待し、Mg/Nイオン注入p-GaNにおけるN_a, N_dの深さ分布評価を行ったので報告する。