[25a-52A-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[25a-52A-2] Mg diffusion in Mg and N ion-implanted GaN

〇Emi Kano¹, Jun Uzuhashi², Koki Kobayashi¹, Kosuke Ishikawa¹, Kyosuke Sawabe¹, Tetsuo Narita³, Kacper Sierakowski⁴, Michal Bockowski^4,1, Tadakatsu Ohkubo², Tetsu Kachi¹, Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ., 2.NIMS, 3.Toyota Central labs., 4.IHPP PAS)

Keywords:

TEM,GaN,APT

Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングにおいて、Nイオン連続注入がMg分布に与える影響について, 透過型電子顕微鏡法とアトムプローブトモグラフィを用いて調査を行った。結果、イオン注入領域にナノスケールの転位ループが多数形成されており、この転位ループの縁にはMgが凝集していた。これはNイオン注入により形成された転位ループへのMg凝集により、Mgの拡散が抑制されたことを示している。