[25a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30

[25a-52A-2] MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム

〇狩野 絵美¹、埋橋 淳²、小林 功季¹、石川 晃輔¹、澤部 恭佑¹、成田 哲生³、Sierakowski Kacper⁴、Bockowski Michal^4,1、大久保 忠勝²、加地 徹¹、五十嵐 信行¹ (1.名古屋大、2.NIMS、3.豊田中研、4.IHPP PAS)

キーワード：

TEM,GaN,アトムプローブトモグラフィ

Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングにおいて、Nイオン連続注入がMg分布に与える影響について, 透過型電子顕微鏡法とアトムプローブトモグラフィを用いて調査を行った。結果、イオン注入領域にナノスケールの転位ループが多数形成されており、この転位ループの縁にはMgが凝集していた。これはNイオン注入により形成された転位ループへのMg凝集により、Mgの拡散が抑制されたことを示している。