[25a-52A-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[25a-52A-5] Loss Analysis and Prediction of Vertical GaN MOSFETs using SPICE simulations

〇Tohru Oka^1,2, Yasuhisa Ushida^1,2, Yu Yonezawa¹ (1.IMaSS Nagoya Univ., 2.Toyoda Gosei)

Keywords:

GaN,MOSFET,switching

GaNは高耐圧、高移動度を有する材料であり、横型AlGaN/GaNパワーデバイスは既に実用化され電力変換器の低損失化高周波化に貢献している。縦型GaN MOSFETは材料物性の近いSiCに対して優位性が示されていないが、低基板抵抗や高チャネル移動度、バルク移動度のさらなる向上が報告されており、これらを生かすことで縦型デバイスのさらなる性能向上が期待できる。そこで今回、これらの優位性を反映したSPICEモデルを作成し、損失解析と性能予測を行った。