講演情報
[25a-52A-5]SPICEシミュレーションを用いた縦型GaN MOSFETの損失解析と性能予測
〇岡 徹1,2、牛田 泰久1,2、米澤 遊1 (1.名大未来研、2.豊田合成)
キーワード：
窒化ガリウム,電界効果トランジスタ,スイッチング
GaNは高耐圧、高移動度を有する材料であり、横型AlGaN/GaNパワーデバイスは既に実用化され電力変換器の低損失化高周波化に貢献している。縦型GaN MOSFETは材料物性の近いSiCに対して優位性が示されていないが、低基板抵抗や高チャネル移動度、バルク移動度のさらなる向上が報告されており、これらを生かすことで縦型デバイスのさらなる性能向上が期待できる。そこで今回、これらの優位性を反映したSPICEモデルを作成し、損失解析と性能予測を行った。