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10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25a-52A-6]High-Voltage (105V) Switching Characteristics of Diamond MOSFET

〇Tomoki Shiratsuchi¹, Niloy Chandra Saha¹, Toshiyuki Oishi¹, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:

Diamond,Switching Characteristics,MOSFET

ダイヤモンドは5.47eVのバンドギャップエネルギーを有する半導体であり, 次世代パワー半導体として期待されている. 我々はダイヤモンドMOSFETのパワー回路を作製し, ACストレス測定にて100時間の劣化の無いAC動作を報告した. また,スイッチング測定ではバイアス電圧－10.75Vで10nsを切る高速スイッチング特性を得た. 今回は高電圧バイアスでのスイッチング特性を測定したので報告する.

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