講演情報
[25a-52A-6]ダイヤモンドMOSFETの高電圧(105V) スイッチング動作
〇白土 智基1、サハ ニロイ チャンドラ1、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工)
キーワード：
ダイヤモンド,スイッチング特性,MOSFET
ダイヤモンドは5.47eVのバンドギャップエネルギーを有する半導体であり, 次世代パワー半導体として期待されている. 我々はダイヤモンドMOSFETのパワー回路を作製し, ACストレス測定にて100時間の劣化の無いAC動作を報告した. また,スイッチング測定ではバイアス電圧－10.75Vで10nsを切る高速スイッチング特性を得た. 今回は高電圧バイアスでのスイッチング特性を測定したので報告する.