[25a-61A-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[25a-61A-1] Growth rate and electrical properties of atomic layer deposition of In₂O₃ films with water vapor plasma

〇Souta Takahashi¹, Jongho Park¹, Takuya Hoshii¹, Takanori Takahashi², Misa Sunagawa³, Yuki Tsuruma³, Shigekazu Tomai³, Kazuo Tsutsui¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Yukiharu Uraoka², Kuniyuki Kakushima¹ (1.Tokyo Tech, 2.NAIST, 3.Idemitsu Kosan Co., Ltd.)

Keywords:

oxide semiconductor,indium oxide,Atomic layer deposition

酸化インジウム(In₂O₃)は高い移動度を有し、三次元デバイスのチャネル材料として期待されている。三次元デバイスへの応用にあたり、立体構造に対しても均一に堆積できる原子層堆積（ALD）によるIn₂O₃薄膜形成が必須である。しかし、ALDには堆積時間が長く炭素不純物が多いという側面もある。一方、ALD-ZnO膜の形成において水プラズマを酸化剤として使用することで膜中不純物の軽減や、成膜レート向上が報告されている。そこで本研究ではALDの酸化剤として水プラズマを用いてIn₂O₃を堆積し、既存の酸化剤との比較を行った。