[25a-61A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45

[25a-61A-1] 水プラズマを用いた原子層堆積In₂O₃膜の堆積レート及び電気特性

〇高橋 颯太¹、朴 鍾鎬¹、星井 拓也¹、髙橋 崇典²、砂川 美佐³、霍間 勇輝³、笘井 重和³、筒井 一生¹、若林 整¹、浦岡 行治²、角嶋 邦之¹ (1.東工大、2.奈良先端大、3.出光興産)

キーワード：

酸化物半導体,酸化インジウム,原子層堆積法

酸化インジウム(In₂O₃)は高い移動度を有し、三次元デバイスのチャネル材料として期待されている。三次元デバイスへの応用にあたり、立体構造に対しても均一に堆積できる原子層堆積（ALD）によるIn₂O₃薄膜形成が必須である。しかし、ALDには堆積時間が長く炭素不純物が多いという側面もある。一方、ALD-ZnO膜の形成において水プラズマを酸化剤として使用することで膜中不純物の軽減や、成膜レート向上が報告されている。そこで本研究ではALDの酸化剤として水プラズマを用いてIn₂O₃を堆積し、既存の酸化剤との比較を行った。