Presentation Information
[25a-61B-5]Transient state analysis of charged particle densities in SiO2 etching with pulsed plasma
〇Kohei Fukushima1, Yugo Nakamura1, Kazuki Toji2, Trung Nguyen Tran2, Takayoshi Tsutsumi2, Kenji Ishikawa2, Ken Katahira1 (1.Sony Semiconductor Manufacturing Corp., 2.Nagoya Univ.)
Keywords:
etching,pulsed plasma
高アスペクト比構造のSiO2加工ではパルスプラズマが応用されており、パルス放電時の過渡状態を含めたプラズマ状態の解析を行った。結果、C4F8流量を増加させるにつれて電子密度は減少し、RF-Off 時の後半で負イオンの増加が観察された。また負イオンの少ない条件では RF-On直後イオン組成がArリッチとなる。RF-On初期には CF 系の活性種が不足することが予想される。パルスプラズマの挙動の理解に基づくプロセス設計が、今後重要になると考えられる。