講演情報
[25a-61B-5]パルスプラズマを用いた絶縁膜加工における荷電粒子の過渡状態解析
〇福島 航平1、中村 雄吾1、都地 一輝2、トラン トラングエン2、堤 隆嘉2、石川 健治2、片平 研1 (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング(株)、2.名古屋大学)
キーワード：
エッチング,パルスプラズマ
高アスペクト比構造のSiO2加工ではパルスプラズマが応用されており、パルス放電時の過渡状態を含めたプラズマ状態の解析を行った。結果、C4F8流量を増加させるにつれて電子密度は減少し、RF-Off 時の後半で負イオンの増加が観察された。また負イオンの少ない条件では RF-On直後イオン組成がArリッチとなる。RF-On初期には CF 系の活性種が不足することが予想される。パルスプラズマの挙動の理解に基づくプロセス設計が、今後重要になると考えられる。