Presentation Information
[25a-71B-9]Low-contact resistance in NbS2/WSe2 junction for WSe2-pFET
〇(B)Koki Hori1,2, Wen-Hsin Chang1, Toshifumi Irisawa1, Atsushi Ogura2,3, Naoya Okada1 (1.AIST, 2.Meiji Univ., 3.MREL)
Keywords:
TMDC,WSe2,NbS2
半導体の遷移金属カルコゲナイド（TMDC）をチャネル材料に用いた、pFETの低抵抗コンタクトには、低い正孔障壁が有効である。我々は、高い仕事関数を有し、かつ、界面状態を形成しないコンタクト材料として、金属のTMDCである、NbS2に着目している。本研究では、600℃以上のH2S熱処理によりNbS2を形成し、WSe2-pFETにNbS2コンタクトを適用することで、電界効果移動度の向上を実証した。NbS2コンタクトはWSe2-pFETの性能向上技術として期待できる。