講演情報
[25a-71B-9]WSe2チャネルp型トランジスタ向けNbS2コンタクト形成技術
〇(B)堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研、2.明治大、3.明治大MREL)
キーワード：
TMDC,WSe2,NbS2
半導体の遷移金属カルコゲナイド（TMDC）をチャネル材料に用いた、pFETの低抵抗コンタクトには、低い正孔障壁が有効である。我々は、高い仕事関数を有し、かつ、界面状態を形成しないコンタクト材料として、金属のTMDCである、NbS2に着目している。本研究では、600℃以上のH2S熱処理によりNbS2を形成し、WSe2-pFETにNbS2コンタクトを適用することで、電界効果移動度の向上を実証した。NbS2コンタクトはWSe2-pFETの性能向上技術として期待できる。