Presentation Information
[25a-P03-10]The electronic states of the gallium-nitride with a point defect terminated by fluorine atoms
〇(B)Yuki Fujishiro1, Tomoe Yayama1, Takahiro Nagata2, Toyohiro Chikyow2 (1.Kogakuin Univ., 2.NIMS)
Keywords:
group III nitride semiconductor,first-principles calculation,electronic state of defects
窒化ガリウム(GaN)中の欠陥を不活化する方法としてフッ素終端の有効性を調べるため、GaN結晶内部の窒素点欠陥に対して複数種類のフッ素(F)終端モデルを作成し、各モデルにおける電子状態及び安定性を調べた。計算には密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いた。1つの窒素点欠陥により生じる４本のダングリングボンドのうち3つをF終端するモデルはエネルギー的に安定であり、かつ欠陥準位の除去に有力であることが示された。