講演情報
[25a-P03-10]窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対するフッ素終端構造とその電子状態に関する研究
〇(B)藤代 裕貴1、屋山 巴1、長田 貴弘2、知京 豊裕2 (1.工学院大、2.NIMS)
キーワード：
Ⅲ族窒化物半導体,第一原理計算,欠陥の電子状態
窒化ガリウム(GaN)中の欠陥を不活化する方法としてフッ素終端の有効性を調べるため、GaN結晶内部の窒素点欠陥に対して複数種類のフッ素(F)終端モデルを作成し、各モデルにおける電子状態及び安定性を調べた。計算には密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いた。1つの窒素点欠陥により生じる４本のダングリングボンドのうち3つをF終端するモデルはエネルギー的に安定であり、かつ欠陥準位の除去に有力であることが示された。