Presentation Information
[25a-P03-6]Investigation of conversion efficiency of different Ga oxidants in OVPE-GaN
〇Tsubasa Nakazono1, Shigeyoshi Usami2, Masayuki Imanishi2, Tomoaki Sumi3, Junichi Takino3, Yoshio Okayama3, Mihoko Maruyama2, Masashi Yoshimura4, Masahiko Hata5, Masashi Isemura6, Yusuke Mori2 (1.Osaka Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 3.Panasonic Holdings Corp., 4.ILE, Osaka Univ., 5.Itochu Plastics Inc., 6.Sosho-Ohshin Inc.)
Keywords:
semiconductor,Gallium Nitride,Oxide Vapor Phase Epitaxy
OVPE法において, GaNの高速成長を実現するためには高Ga2O分圧が有利であり, そのためにはH2O供給量を高くする必要がある. しかし, バブリングでは安定した高H2O供給が不可能であった. そこで現在はH2Oの代用として容易に高供給可能なN2Oを使用している. しかし，バブリングの課題からN2Oがどのように振舞うか不明であった. そこで本研究では, N2O, H2O高供給時の変換効率を比較することでN2OのGa酸化剤としての振舞いについて調査を行った.