講演情報
[25a-P03-6]OVPE-GaN成長における異なるGa酸化剤の変換効率調査
〇中園 翼1、宇佐美 茂佳2、今西 正幸2、隅 智亮3、滝野 淳一3、岡山 芳央3、丸山 美帆子2、吉村 政志4、秦 雅彦5、伊勢村 雅士6、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.パナソニックホールディングス(株)、4.阪大レーザー研、5.伊藤忠プラスチックス(株)、6.(株)創晶應心)
キーワード：
半導体,GaN,OVPE
OVPE法において, GaNの高速成長を実現するためには高Ga2O分圧が有利であり, そのためにはH2O供給量を高くする必要がある. しかし, バブリングでは安定した高H2O供給が不可能であった. そこで現在はH2Oの代用として容易に高供給可能なN2Oを使用している. しかし，バブリングの課題からN2Oがどのように振舞うか不明であった. そこで本研究では, N2O, H2O高供給時の変換効率を比較することでN2OのGa酸化剤としての振舞いについて調査を行った.