Presentation Information
[25p-1BJ-3]Stabilization of non-equilibrium phase in the growth of ALD deposited non-doped HfO2 thin films
〇Ryuto Ichikawa1, Keigo Naito1, Takeshi Yoshimura1, Norifumi Fujimura1 (1.Osaka Metropolitan Univ.)
Keywords:
Hf-based ferroelectrics,atomic layer deposition method
Hf系強誘電体は、3nm程度の極薄膜で強誘電性を示すことから、高集積化メモリや強誘電体ゲートトランジスタへの応用が期待されている。HfO2は準安定相であるOrthorhombic (O) 相のみが強誘電性を示すため、この準安定相を安定化する手法として、YやSiなどの不純物ドーピング、酸素欠陥の形成、キャップアニールなどがその一例として挙げられる 。前回の応用物理学会では、ALD法を用いSi基板上にHfO2薄膜を作製し、製膜パラメータが結晶構造に与える影響について報告した。ALD法の場合、スパッタリング法などの物理製膜と比較して、成長過程が平衡に近いため、非平衡相の安定化は難しくなる。