講演情報
[25p-1BJ-3]Non-doped HfO2 ALD 薄膜成長における非平衡相の安定化
〇市川 龍斗1、内藤 圭吾1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
キーワード：
Hf系強誘電体,ALD法
Hf系強誘電体は、3nm程度の極薄膜で強誘電性を示すことから、高集積化メモリや強誘電体ゲートトランジスタへの応用が期待されている。HfO2は準安定相であるOrthorhombic (O) 相のみが強誘電性を示すため、この準安定相を安定化する手法として、YやSiなどの不純物ドーピング、酸素欠陥の形成、キャップアニールなどがその一例として挙げられる 。前回の応用物理学会では、ALD法を用いSi基板上にHfO2薄膜を作製し、製膜パラメータが結晶構造に与える影響について報告した。ALD法の場合、スパッタリング法などの物理製膜と比較して、成長過程が平衡に近いため、非平衡相の安定化は難しくなる。