[25p-1BJ-1~7] CS.6 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[25p-1BJ-6] Effect of resist coating on crystallization of (Hf,Zr)O₂ thin films during photolithography process

〇Takeshi Asuka¹, Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹, Ai Osaka¹ (1.Univ. Hyogo)

Keywords:

ferroelectric,(Hf,Zr)O2,thin film

我々は、上部電極堆積による応力印加を利用することで、熱処理によらず、(Hf, Zr)O₂ (HZO)薄膜の結晶化が可能なことを報告した。その過程で、フォトリソグラフィとメタルマスクを用いて上部電極を作製したキャパシタでは、前者の方が大きな分極を示すことを見出した。本研究では、フォトリソグラフィに用いるフォトレジストからの応力印加がHZOの結晶化に与える影響について調査した。