講演情報
[25p-1BJ-6]フォトリソグラフィ工程におけるレジストの凝固が(Hf,Zr)O2薄膜の結晶化に与える影響
〇飛鳥 剛士1、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1 (1.兵庫県立大工)
キーワード：
強誘電体,(Hf, Zr)O2,薄膜
我々は、上部電極堆積による応力印加を利用することで、熱処理によらず、(Hf, Zr)O2 (HZO)薄膜の結晶化が可能なことを報告した。その過程で、フォトリソグラフィとメタルマスクを用いて上部電極を作製したキャパシタでは、前者の方が大きな分極を示すことを見出した。本研究では、フォトリソグラフィに用いるフォトレジストからの応力印加がHZOの結晶化に与える影響について調査した。