[25p-21C-1~6] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25p-21C-4] Epitaxial growths of highly efficient GaN VCSELs with GaInN under layer and in-situ cavity length control

〇Taichi Nishikawa¹, Kenta Kobayashi¹, Ruka Watanabe¹, Mitsuki Yanagawa¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

VCSEL,GaInN,in-situ cavity length control

GaInN下地層を有するLEDでの電流密度依存性について検討した後に、GaInN下地層とその場共振器長制御を導入したVCSELを作製し、評価した。LEDでは数10 kA/cm²の高電流密度域において約1.3倍光出力が向上した。VCSELではエネルギー変換効率が8µm径で15％、5µm径で21％となり、高効率GaN系VCSELを実証した。