[25p-21C-1~6] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[25p-21C-4] GaInN下地層とその場共振器長制御を有する高効率GaN系VCSELのエピタキシャル成長

〇西川 大智¹、小林 憲汰¹、渡邊 琉加¹、柳川 光樹¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：

VCSEL,GaInN,その場共振器長制御

GaInN下地層を有するLEDでの電流密度依存性について検討した後に、GaInN下地層とその場共振器長制御を導入したVCSELを作製し、評価した。LEDでは数10 kA/cm²の高電流密度域において約1.3倍光出力が向上した。VCSELではエネルギー変換効率が8µm径で15％、5µm径で21％となり、高効率GaN系VCSELを実証した。