Presentation Information
[25p-21C-5]Investigation for improvement of red MQW active layer on ScAlMgO4 substrate
〇(B)Ryotaro Ito1, Ryusei Sakamoto1, Yuma Kato1, Seiji Ishimoto2, Emi Matsuyama2, Atsushi Suzuki2, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Makoto Matsukura3, Takahiro Kojima3, Atsushi Fujita4, Fuminori Yoda4, Shigeki Matsunaka4 (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Ltd., 3.Oxide Co., 4.Shibaura Mechatronics Co.)
Keywords:
semiconductor,crystal growth
本研究ではGa0.83In0.17N下地層は表面平坦性が低く、その上に成長されたMQWは熱的に不安定で、p型層成長後に劣化が生じることがあるため、量子井戸層を保護するために直上にキャップ層を導入し、効果を検証した所、AlNキャップ層がある試料はPL強度、RMS値が良くなり、赤色MQWの熱的安定性がAlNキャップ層の導入によって改善したためと考えられる。