講演情報
[25p-21C-5]ScAlMgO4基板上赤色MQW活性層の高品質化に関する検討
〇(B)伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、加藤 悠真1、石本 聖治2、松山 絵美2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4、松中 繁樹4 (1.名城大学、2.E＆Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))
キーワード：
半導体,結晶成長
本研究ではGa0.83In0.17N下地層は表面平坦性が低く、その上に成長されたMQWは熱的に不安定で、p型層成長後に劣化が生じることがあるため、量子井戸層を保護するために直上にキャップ層を導入し、効果を検証した所、AlNキャップ層がある試料はPL強度、RMS値が良くなり、赤色MQWの熱的安定性がAlNキャップ層の導入によって改善したためと考えられる。