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2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[25p-21C-6]Broadband InGaN-based microlens structures covering full-color component

〇Yoshinobu Matsuda¹, Akitoshi Takahama¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

Nitride semiconductors,Microstructures,Multiwavelength light emitters

三次元マイクロ構造上InGaN量子井戸(InGaN QW)は，蛍光体フリーな多波長発光素子として注目されている．最近我々は，基板加工によって形成されるGaNマイクロレンズ構造上InGaN QW(以下，マイクロレンズQWとする)が，傾斜角分布によって多波長発光特性を示すことを報告した[1,2].しかし，その発光波長域は，可視光の短波長領域である紫色から青緑色に限られていた．本研究では，結晶成長条件および積層構造の制御により，全可視光色をカバーする広帯域発光マイクロレンズQWを実証したので報告する．

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