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2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[25p-52A-5]In-plane Homogenization of Sheet Resistance of MOSFETs on a wafer using Minimal-Fab Spin-on Dopant Process

〇Shuhei Nakamichi¹, Hiroyoshi Hongoh¹, Hiroyuki Tanaka², Fumito Imura^1,3, Shiro Hara^1,2,3 (1.MinimalFab, 2.AIST, 3.Hundred)

minimalFab,SOD Coat,Impurity doping

ミニマルファブでは、不純物拡散にはSOD材料を用いた熱拡散方法を採用している。
しかし、ボロンドープpMOSFETにおいてウェハエッジ付近ではシート抵抗バラツキが大きくなる結果であった。
今回このボロンドープのバラツキを小さくするプロセスを開発したので報告する。