[25p-61A-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25p-61A-10] Effects of Oxygen Reactive Ion Etching and Nitrogen Radical Irradiation on Temperature-Dependent Electrical Properties of Ga₂O₃ (010) Schottky Barrier Diodes

〇(M1)Shota Sato¹, Akimasa Mineyama¹, Zhenwei Wang², Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT)

Keywords:

Gallium oxide,Schottky barrier diode

本研究では、酸素反応性イオンエッチング (O₂ RIE) および窒素ラジカル照射がGa₂O₃ (010) ショットキーバリアダイオードの温度依存電流密度–電圧特性に与える影響を調査した。その結果、O₂ RIEは逆方向リーク電流を増加させるダメージをGa₂O₃基板表面に与える一方、窒素ラジカル照射はO₂ RIEによる表面ダメージを回復し、リーク電流を減少させることが判明した。