講演情報
[25p-61A-10]酸素反応性イオンエッチング、窒素ラジカル照射がGa2O3 (010) ショットキーバリアダイオードの温度依存電気的特性に与える影響
〇(M1)佐藤 翔太1、峰山 滉正1、WANG Zhenwei2、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム,ショットキーバリアダイオード
本研究では、酸素反応性イオンエッチング (O2 RIE) および窒素ラジカル照射がGa2O3 (010) ショットキーバリアダイオードの温度依存電流密度–電圧特性に与える影響を調査した。その結果、O2 RIEは逆方向リーク電流を増加させるダメージをGa2O3基板表面に与える一方、窒素ラジカル照射はO2 RIEによる表面ダメージを回復し、リーク電流を減少させることが判明した。