Presentation Information
[25p-61A-11]Emission Microscopy Observation of Polycrystalline Defect Array in (001) HVPE-Grown Epi Thick Film β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
〇(M1)Yuto Otsubo1, Kohei Sasaki2, Jun Arima3, Minoru Fujita3, Katsumi Kawasaki3, Akito Kuramata2, Makoto Kasu1 (1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Technology, Inc., 3.TDK Corporation)
Keywords:
leak current,killer defect
β型酸化ガリウムは, 次世代の低損失パワー半導体デバイスとして期待されている．パワーデバイス応用には，オフ耐圧を低下，逆方向リーク電流をおこすキラー欠陥の低減が必要である．我々はこれまでHVPEエピ膜が10 μmのショットキーバリアダイオード(SBD)で，キラー欠陥の同定を行ってきたが，更なる高い電圧下での動作のため，HVPEエピ膜が20 μmのSBDを作製し，キラー欠陥の観察を行った．