講演情報

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[25p-61A-11](001)面方位HVPEエピ厚膜β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの多結晶欠陥列のエミッション顕微鏡観察

〇(M1)大坪優斗¹、佐々木公平²、有馬潤³、藤田実³、川崎克己³、倉又朗人²、嘉数誠¹ (1.佐賀大理工、2.（株）ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK（株）)

キーワード：

リーク電流,キラー欠陥

β型酸化ガリウムは, 次世代の低損失パワー半導体デバイスとして期待されている．パワーデバイス応用には，オフ耐圧を低下，逆方向リーク電流をおこすキラー欠陥の低減が必要である．我々はこれまでHVPEエピ膜が10 μmのショットキーバリアダイオード(SBD)で，キラー欠陥の同定を行ってきたが，更なる高い電圧下での動作のため，HVPEエピ膜が20 μmのSBDを作製し，キラー欠陥の観察を行った．

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