Presentation Information
[25p-61A-12]MESFET based on Ge-doped α-Ga2O3 thin films
〇Takeru Wakamatsu1, Yuki Isobe1, Hitoshi Takane1, Kentaro Kaneko2, Katsuhisa Tanaka1 (1.Kyoto Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)
Keywords:
gallium oxide,MESFET,mist-CVD
m面サファイア基板を用いて、Feドープバッファー層(790 nm)、Geドープチャネル層(230 nm)、n+層(70 nm)の順にα-Ga2O3薄膜をミストCVD法により成膜した。得られた薄膜についてフォトリソグラフィ、ICP-RIE、EB蒸着を用いてMESFETを作製した。出力特性から、ゲート電極が2 Vのとき、最大のドレイン電流およびオン抵抗はそれぞれ24 mA/mmおよび587 Ω mmである。また、伝達特性からオンオフ比は109を示し、ゲート電圧が−10 Vのとき耐圧は364 Vである。