講演情報
[25p-61A-12]Geドープα-Ga2O3薄膜を用いたMESFET
〇若松 岳1、磯部 優貴1、高根 倫史1、金子 健太郎2、田中 勝久1 (1.京大院工、2.立命館大総研)
キーワード：
酸化ガリウム,金属半導体電界効果トランジスタ,ミストCVD
m面サファイア基板を用いて、Feドープバッファー層(790 nm)、Geドープチャネル層(230 nm)、n+層(70 nm)の順にα-Ga2O3薄膜をミストCVD法により成膜した。得られた薄膜についてフォトリソグラフィ、ICP-RIE、EB蒸着を用いてMESFETを作製した。出力特性から、ゲート電極が2 Vのとき、最大のドレイン電流およびオン抵抗はそれぞれ24 mA/mmおよび587 Ω mmである。また、伝達特性からオンオフ比は109を示し、ゲート電圧が−10 Vのとき耐圧は364 Vである。