[25p-61A-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25p-61A-3] Carrier density control of Sb-doped SnO₂ thin films and fabrication of a vertical Schottky barrier diode

〇Yui Takahashi¹, Hitoshi Takane¹, Hirokazu Izumi², Takeru Wakamatsu¹, Yuki Isobe¹, Kentaro Kaneko³, Katsuhisa Tanaka¹ (1.Kyoto Univ., 2.Hyogo Prefectural Institute of Technology, 3.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

SnO2,thin film

本研究では、ミストCVD法を用いてSbドープルチル型SnO₂薄膜を成長させ、原料溶液中のSnに対するSbのモル比を変化させることによりキャリア密度を10¹⁶−10¹⁹ cm⁻³の範囲で制御することに成功した。また、低キャリア密度薄膜をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード（SBD）の動作実証に成功した。これらはSnO₂を含むルチル型酸化物半導体混晶系のパワーデバイス応用に向けて有用な結果であるといえる。