講演情報
[25p-61A-3]Sbドープルチル型SnO2薄膜のキャリア密度制御と縦型ショットキーバリアダイオードの試作
〇高橋 由依1、高根 倫史1、泉 宏和2、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎3、田中 勝久1 (1.京大、2.兵庫県立工業技術センター、3.立命館大)
キーワード：
酸化スズ,薄膜
本研究では、ミストCVD法を用いてSbドープルチル型SnO2薄膜を成長させ、原料溶液中のSnに対するSbのモル比を変化させることによりキャリア密度を1016−1019 cm−3の範囲で制御することに成功した。また、低キャリア密度薄膜をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード（SBD）の動作実証に成功した。これらはSnO2を含むルチル型酸化物半導体混晶系のパワーデバイス応用に向けて有用な結果であるといえる。