Presentation Information
[25p-61A-5]Solid-phase epitaxy of Ga2O3 thin films on α-Al2O3 (0001) substrates by UV laser
〇Ryoya Kai1, Takumi Numata1, Satoru Kaneko2,1, Mamoru Yoshimoto1, Akifumi Matsuda1 (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)
Keywords:
Wide-bandgap semiconductor,Gallium oxide,Excimer laser annealing
ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム(Ga2O3)のエピタキシャル薄膜は、一般に高温で合成されるが、粗大な粒成長などはデバイス応用の課題になり得る。一方で我々のグループは、岩塩型結晶のバッファー層と紫外レーザーアニーリング(ELA)によるβ-Ga2O3のエピタキシーを報告している。本研究ではGa2O3の構造制御を目的として、コランダム型α-Fe2O3バッファー層上でのELA固相結晶化を検討した。