講演情報
[25p-61A-5]Fe2O3バッファー層を用いた紫外レーザーアニーリングによるα-Al2O3(0001)基板上Ga2O3薄膜のエピタキシャル固相結晶化
〇甲斐 稜也1、沼田 拓実1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)
キーワード：
ワイドバンドギャップ半導体,酸化ガリウム,エキシマレーザーアニーリング
ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム(Ga2O3)のエピタキシャル薄膜は、一般に高温で合成されるが、粗大な粒成長などはデバイス応用の課題になり得る。一方で我々のグループは、岩塩型結晶のバッファー層と紫外レーザーアニーリング(ELA)によるβ-Ga2O3のエピタキシーを報告している。本研究ではGa2O3の構造制御を目的として、コランダム型α-Fe2O3バッファー層上でのELA固相結晶化を検討した。