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2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25p-61A-6]Anisotropic band edges of (Sc_xGa_1−x)₂O₃ films revealed by polarized reflectance spectroscopy

〇Kazuki koreishi¹, Takeyoshi Onuma², Takuto Soma¹, Akira Ohtomo¹ (1.Tokyo Tech, 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:

Ga2O3,thin films,exciton

混晶化によるβ-Ga₂O₃ のバンドギャップ制御は，パワーデバイスの耐圧向上やヘテロ接合を利用したデバイス応用への展開を可能にする．これまでに我々はβ-Ga₂O₃型構造を有する(Sc_xGa_1−x)₂O₃薄膜を作製し，反射型電子エネルギー損失分光法 (REELS)を用いてそのバンドギャップの組成依存性を報告してきた．一方β-Ga₂O₃型構造の結晶にはバンド端構造に異方性があることが知られているものの，REELS ではその識別ができない．そこで今回は偏光反射分光法を用いてバンド端構造の偏光依存性を調査したので報告する．

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[25p-61A-6]Anisotropic band edges of (ScxGa1−x)2O3 films revealed by polarized reflectance spectroscopy

Keywords:

[25p-61A-6]Anisotropic band edges of (Sc_xGa_1−x)₂O₃ films revealed by polarized reflectance spectroscopy