[25p-61A-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25p-61A-8] Electrical Properties of Unintentionally Doped Ga₂O₃ Thin Films Grown by Low-Pressure Hot-Wall MOCVD (1)

〇(B)Jun Morihara¹, Jin Inajima¹, Zhenwei Wang², Junya Yoshinaga^3,4, Shota Sato¹, Kohki Eguchi¹, Yoshinao Kumagai³, Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT, 3.Tokyo Univ. of Agric. and Tech., 4.TAIYO NIPPON SANSO CORP.)

Keywords:

Gallium oxide,MOCVD

MOCVDは、将来のGa₂O₃エピタキシャルウエハー大量生産のための最も有力な手法の一つであると期待されている。本研究では、減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa₂O₃薄膜の室温における電気的特性を評価した。その結果、ノンドープGa₂O₃薄膜のバックグラウンドドナー濃度は1.4 × 10¹³ cm^-3未満と非常に小さいことを確認した。