[25p-61A-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[25p-61A-8] 減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa₂O₃薄膜の電気的特性（１）

〇(B)森原 淳¹、稲嶌 仁¹、WANG Zhenwei²、吉永 純也^3,4、佐藤 翔太¹、江口 輝生¹、熊谷 義直³、東脇 正高^1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構、3.東京農工大院工、4.大陽日酸)

キーワード：

酸化ガリウム,MOCVD

MOCVDは、将来のGa₂O₃エピタキシャルウエハー大量生産のための最も有力な手法の一つであると期待されている。本研究では、減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa₂O₃薄膜の室温における電気的特性を評価した。その結果、ノンドープGa₂O₃薄膜のバックグラウンドドナー濃度は1.4 × 10¹³ cm^-3未満と非常に小さいことを確認した。