Presentation Information
[25p-61A-9]Electrical Properties of Unintentionally Doped Ga2O3 Thin Films Grown by Low-Pressure Hot-Wall MOCVD (2)
〇(B)Jin Inajima1, Jun Morihara1, Zhenwei Wang2, Junya Yoshinaga3,4, Shota Sato1, Kohki Eguchi1, Yoshinao Kumagai3, Masataka Higashiwaki1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT, 3.Tokyo Univ. of Agric. and Tech., 4.TAIYO NIPPON SANSO CORP.)
Keywords:
Gallium oxide,MOCVD
Ga2O3 MOCVDでは、これまで成長速度が小さいことが問題点であった。しかし、最近Ga2O3薄膜の高速MOCVD成長技術が開発された。本研究では、同MOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電流密度–電圧特性の温度依存性を評価した。結果、MOCVD成長後のアニール処理の有無で、オン電流に顕著な違いが生じることを確認した。これは、アニール処理によるドナー準位の変化によると考えられる。