講演情報
[25p-61A-9]減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電気的特性（２）
〇(B)稲嶌 仁1、森原 淳1、WANG Zhenwei2、吉永 純也3,4、佐藤 翔太1、江口 輝生1、熊谷 義直3、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構、3.東京農工大院工、4.大陽日酸)
キーワード：
酸化ガリウム,MOCVD
Ga2O3 MOCVDでは、これまで成長速度が小さいことが問題点であった。しかし、最近Ga2O3薄膜の高速MOCVD成長技術が開発された。本研究では、同MOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電流密度–電圧特性の温度依存性を評価した。結果、MOCVD成長後のアニール処理の有無で、オン電流に顕著な違いが生じることを確認した。これは、アニール処理によるドナー準位の変化によると考えられる。