[25p-61B-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[25p-61B-9] Effect of Discharge Pulse Length on Crystal Orientation of GaN Films by high-density convergent plasma sputtering device

〇Itsuki Misono¹, Taisei Motomura², Masato Uehara², Tatsuo Tabaru², Tetsuya Okuyama^1,3 (1.NIT Kurume College, 2.AIST, 3.IGSES, Kyushu Univ.)

Keywords:

Pulse sputtering,Gallium Nitrid

高密度収束プラズマスパッタリング装置はターゲット投入電力とプラズマ放電のDuty比を個別に制御できる。そのためHIPIMS等では実現できない成膜条件での成膜が可能である。本研究ではDuty比一定で放電パルス長を変化させることで、GaN薄膜の結晶性に対する放電パルス長が及ぼす影響に関して報告する。