講演情報
[25p-61B-9]高密度収束プラズマスパッタリングにおけるGaN薄膜の結晶配向性に対する放電パルス長の影響
〇御園 樹1、本村 大成2、上原 雅人2、田原 竜夫2、奥山 哲也1,3 (1.久留米高専、2.産総研、3.九大総理工)
キーワード：
パルススパッタリング,窒化ガリウム
高密度収束プラズマスパッタリング装置はターゲット投入電力とプラズマ放電のDuty比を個別に制御できる。そのためHIPIMS等では実現できない成膜条件での成膜が可能である。本研究ではDuty比一定で放電パルス長を変化させることで、GaN薄膜の結晶性に対する放電パルス長が及ぼす影響に関して報告する。