Presentation Information
[10a-N105-3]Measurement of the diffusion coefficient of n-type dopants in β-Ga2O3
〇Sasuga Hasegawa1, Ryusuke Nakamura1, Takeyuki Suzuki2 (1.Univ. of Shiga Pref., 2.SANKEN Osaka Univ.)
Keywords:
diffusion,Secondary Ion Mass Spectrometry
単結晶β-Ga₂O₃に，高周波スパッタリング装置を用いてSi層を70nm堆積させた．試料を真空中(1.6×10-4 Pa)に保持し600-1000 ℃で1-48 h の拡散アニールをした．SIMSにより，Siおよび成分元素の深さ方向xのニ次イオン強度を測定した．強度分布に対して誤差関数型の式を適用し拡散係数を決定した．その温度依存性を講演会で発表する．また，GeとSnの測定結果も併せて発表する．