講演情報
[10a-N105-3]β-Ga2O3におけるn型ドーパントの拡散係数の測定
〇長谷川 流石1、仲村 龍介1、鈴木 健之2 (1.滋賀県大工、2.阪大産研)
キーワード：
拡散、ニ次イオン質量分析法
単結晶β-Ga₂O₃に，高周波スパッタリング装置を用いてSi層を70nm堆積させた．試料を真空中(1.6×10-4 Pa)に保持し600-1000 ℃で1-48 h の拡散アニールをした．SIMSにより，Siおよび成分元素の深さ方向xのニ次イオン強度を測定した．強度分布に対して誤差関数型の式を適用し拡散係数を決定した．その温度依存性を講演会で発表する．また，GeとSnの測定結果も併せて発表する．