Presentation Information
[10a-N105-4]Investigation of Al solubility in β-Ga2O3 using the floating zone method
〇Kazune Anai1, Masanori Nagao1, Yuki Maruyama1, Satoshi Watauchi1 (1.Univ. Yamanashi)
Keywords:
wide gap semiconductor,floating zone method,gallium oxide
β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は，大きなバンドギャップ(4.5 eV)を持つ低損失・高耐圧な次世代パワーデバイス材料として注目されているが，熱伝導率が低く(0.11～0.27 W/cm･K)デバイスに実装する際の課題となっている．その中，理論計算においてβ-Ga2O3 へのAl 添加によって熱伝導率の向上が示唆された．そこで，本研究ではAl 添加β-Ga2O3 結晶の育成を不純物混入の少ない浮遊帯域溶融法(FZ 法)によって行い， β-Ga2O3 結晶へのAl の固溶について調べた．