[10a-N105-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00

[10a-N105-4] 浮遊帯域溶融法を用いたβ-Ga₂O₃へのAl固溶に関する研究

〇穴井 和音¹、長尾 雅則¹、丸山 祐樹¹、綿打 敏司¹ (1.山梨大)

キーワード：

ワイドギャップ酸化物半導体、FZ法、酸化ガリウム

β型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)は，大きなバンドギャップ(4.5 eV)を持つ低損失・高耐圧な次世代パワーデバイス材料として注目されているが，熱伝導率が低く(0.11～0.27 W/cm･K)デバイスに実装する際の課題となっている．その中，理論計算においてβ-Ga₂O₃ へのAl 添加によって熱伝導率の向上が示唆された．そこで，本研究ではAl 添加β-Ga₂O₃ 結晶の育成を不純物混入の少ない浮遊帯域溶融法(FZ 法)によって行い， β-Ga₂O₃ 結晶へのAl の固溶について調べた．